從化學角度看，ITO是一種復合氧化物，其性能很大程度上取決于氧化銦和氧化錫的比例。氧化銦提供高透明度，而氧化錫的摻雜則增強了材料的導電性。通過控制這兩者的配比，ITO能夠在保持光學透明的同時，具備接近金屬的導電能力。這種“透明卻導電”的特性，使得ITO成為制造透明導電膜的理想選擇。

制造ITO靶材是一項技術密集型的工作，涉及從原料配比到成型加工的多個環節。高質量的ITO靶材需要具備高密度、均勻性和穩定性，而這些要求背后隱藏著復雜的工藝和諸多挑戰。

目前，ITO靶材的制備主要有兩種常見方法：熱壓燒結法和冷等靜壓法。

熱壓燒結法

工藝流程：將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后，放入模具，在高溫（1000-1500°C）和高壓（幾十到幾百兆帕）下壓制成型。高溫使粉末顆粒熔融結合，形成致密的靶材結構。

優點：這種方法制備的靶材密度接近理論值（通常超過99%），晶粒分布均勻，適合高精度鍍膜需求。

缺點：設備復雜，能耗高，生產成本較高。

適用場景：高端電子產品，如智能手機、平板電腦的顯示屏制造。

區別對比

?成分差異：銦靶材為純金屬銦制成，而ITO靶材則是銦錫氧化物的復合物。

?用途不同：銦靶材主要用于需要高導電性和延展性的領域，如航空航天部件；ITO靶材則因其透明導電性廣泛應用于光電顯示領域。

?性能特點：銦靶材更側重于導電性和機械強度，而ITO靶材則兼顧導電性和光學透明性。