在實際生產中，ITO靶材通常被加工成圓形或矩形的塊狀，與濺射設備配合使用。濺射過程中，靶材的質量直接影響薄膜的均勻性、附著力和性能。因此，高質量的ITO靶材不僅是技術要求，更是生產效率和產品可靠性的保障。

目前，ITO靶材的制備主要有兩種常見方法：熱壓燒結法和冷等靜壓法。

熱壓燒結法

工藝流程：將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后，放入模具，在高溫（1000-1500°C）和高壓（幾十到幾百兆帕）下壓制成型。高溫使粉末顆粒熔融結合，形成致密的靶材結構。

優點：這種方法制備的靶材密度接近理論值（通常超過99%），晶粒分布均勻，適合高精度鍍膜需求。

缺點：設備復雜，能耗高，生產成本較高。

適用場景：高端電子產品，如智能手機、平板電腦的顯示屏制造。

銦回收面臨的主要挑戰包括銦在電子設備中的低濃度和與其他金屬的合金化。傳統的回收方法難以有效提取，需要采用濕法冶金或火法冶金等先進技術。同時，回收過程中需確保電子廢物流的分類和處理，以減少污染物對回收過程的影響。

透明導電薄膜在現代光電行業中具有至關重要的地位，是觸摸屏、顯示器和太陽能電池等設備中的核心組件。ITO靶材憑借其出色的透明導電特性成為制備透明導電薄膜的材料。