制造ITO靶材是一項技術密集型的工作，涉及從原料配比到成型加工的多個環節。高質量的ITO靶材需要具備高密度、均勻性和穩定性，而這些要求背后隱藏著復雜的工藝和諸多挑戰。

冷等靜壓法

工藝流程：將混合粉末裝入柔性模具，在室溫下通過高壓（100-300兆帕）壓制成型，隨后在較低溫度下燒結固化。

優點：工藝相對簡單，生產成本較低，適合小批量或定制化生產。

缺點：靶材密度和均勻性稍遜，可能在高功率濺射中表現不夠穩定。

適用場景：中低端電子產品或實驗室研發用靶材。

這兩種方法各有千秋，制造商需要根據具體需求權衡成本與性能。

制備完成后，ITO靶材在實際應用中還會遇到一些問題：

濺射不均勻：如果靶材內部存在微小缺陷或成分偏差，濺射過程中可能出現局部過熱，導致薄膜厚度不一致。

靶材破裂：在高功率濺射時，靶材承受的熱應力可能超出其極限，造成破裂，進而影響生產線的連續性。

資源限制：ITO靶材依賴銦這種稀有金屬，而銦的全球儲量有限，價格波動較大。這不僅推高了成本，也促使業界尋找替代方案。

閉環之困：損耗與機遇并存

ITO靶材在濺射鍍膜過程中利用率通常僅30%左右，大量含銦廢料（廢舊靶材、邊角料、鍍膜腔室廢料）隨之產生。過去，這些價值的廢料往往被簡單處理或堆積。建立從“廢靶材→再生銦→新靶材”的閉環體系，成為破解資源約束的黃金路徑。