從物理性質上看，ITO靶材具有以下幾個顯著特點：

高透明度：在可見光范圍內（波長400-700納米），ITO薄膜的透光率可高達90%以上，幾乎與普通玻璃相當。

優異導電性：其電阻率通常在10??歐姆·厘米的量級，遠低于大多數透明材料。

化學穩定性：在常溫下，ITO對水、氧氣等環境因素表現出良好的抗腐蝕能力。

機械耐久性：ITO薄膜具備一定的硬度和耐磨性，能夠應對日常使用中的輕微刮擦。

這些特性讓ITO靶材在實際應用中游刃有余，尤其是在需要兼顧光學和電學性能的場景中。

目前，ITO靶材的制備主要有兩種常見方法：熱壓燒結法和冷等靜壓法。

熱壓燒結法

工藝流程：將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后，放入模具，在高溫（1000-1500°C）和高壓（幾十到幾百兆帕）下壓制成型。高溫使粉末顆粒熔融結合，形成致密的靶材結構。

優點：這種方法制備的靶材密度接近理論值（通常超過99%），晶粒分布均勻，適合高精度鍍膜需求。

缺點：設備復雜，能耗高，生產成本較高。

適用場景：高端電子產品，如智能手機、平板電腦的顯示屏制造。

ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）靶材是一種廣泛用于透明導電薄膜材料制備的復合氧化物材料，其主要成分為氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）。通常，ITO靶材中氧化銦與氧化錫的質量比例為90:10，這一比例在實際應用中表現出較為理想的光電特性，使其在透明導電薄膜中廣泛應用。

在智能手機、平板電腦、超清電視的光滑屏幕背后，ITO靶材（氧化銦錫）是賦予其透明導電魔力的核心材料。作為ITO靶材的關鍵成分，銦（In）的穩定供應直接關系到全球萬億級顯示產業的命脈。然而，這種稀散金屬的地緣分布不均（中國儲量占全球70%以上）和原生礦產的有限性，使得銦的回收再利用不再是環保課題，更成為保障產業、實現供應鏈韌性的“閉環”革命。