從物理性質上看，ITO靶材具有以下幾個顯著特點：

高透明度：在可見光范圍內（波長400-700納米），ITO薄膜的透光率可高達90%以上，幾乎與普通玻璃相當。

優異導電性：其電阻率通常在10??歐姆·厘米的量級，遠低于大多數透明材料。

化學穩定性：在常溫下，ITO對水、氧氣等環境因素表現出良好的抗腐蝕能力。

機械耐久性：ITO薄膜具備一定的硬度和耐磨性，能夠應對日常使用中的輕微刮擦。

這些特性讓ITO靶材在實際應用中游刃有余，尤其是在需要兼顧光學和電學性能的場景中。

目前，ITO靶材的制備主要有兩種常見方法：熱壓燒結法和冷等靜壓法。

熱壓燒結法

工藝流程：將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后，放入模具，在高溫（1000-1500°C）和高壓（幾十到幾百兆帕）下壓制成型。高溫使粉末顆粒熔融結合，形成致密的靶材結構。

優點：這種方法制備的靶材密度接近理論值（通常超過99%），晶粒分布均勻，適合高精度鍍膜需求。

缺點：設備復雜，能耗高，生產成本較高。

適用場景：高端電子產品，如智能手機、平板電腦的顯示屏制造。

銦回收具有重要的環保和經濟效益。通過回收廢舊靶材中的銦，可以減少對新資源的開采，降低環境污染，實現資源的可持續利用。此外，回收銦還能穩定市場供應，降低生產成本，促進相關產業的可持續發展。

氧化銦是一種寬禁帶半導體，具有良好的光學透明性，而氧化錫的引入則增強了材料的導電性。這種成分結構使得ITO材料在保證高透光率的同時也具有低電阻率，兼具光學和電學性能。ITO靶材的這一獨特特性使其成為透明導電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設備和顯示技術。