微觀結構：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區間，密度高于 7.31g/cm3，熱導率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術參數直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質量。

精銦的制備需經過多步精煉，核心工藝包括：

原料預處理：以鋅冶煉副產物（如浸出渣、煙灰）或含銦廢料為原料，通過酸浸、萃取等方式初步分離銦。

電解精煉：將粗銦溶解為銦鹽溶液（如硫酸銦），通過電解沉積得到純度約 99.95% 的粗精銦。

深度提純：

真空蒸餾：在高真空條件下利用銦與雜質的沸點差異（銦沸點 2080℃，雜質如鋅沸點 907℃）去除低沸點雜質。

區域熔煉：通過移動加熱區使雜質在固液界面重新分布，多次操作后可將純度提升至 6N 以上。

化學提純：利用萃取劑（如三丁基氧化膦）或離子交換樹脂進一步去除微量金屬離子。

靶材原料（占比約 60%）：

用于制備 ITO（氧化銦錫）靶材，生產 LCD、OLED 顯示面板的透明導電膜（如手機屏幕、電視面板）。

光伏領域：作為 CIGS（銅銦鎵硒）薄膜太陽能電池的關鍵原料，提升光電轉換效率。

合金與特殊材料（占比約 10%）：

銦錫合金：熔點低至 120℃，用于保險絲、牙科材料；銦鉛合金可作為核反應堆的中子吸收材料。

銦箔與涂層：高純銦箔用于真空密封、輻射屏蔽（如 X 射線探測器），或作為耐腐蝕涂層（如海洋工程）。

科研與新興領域：

量子點顯示、鈣鈦礦電池、柔性電子器件等前沿技術中，精銦作為高純原料用于薄膜沉積或材料合成。