微觀結構：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區間，密度高于 7.31g/cm3，熱導率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術參數直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質量。

優異的光學性能：在可見光波段（380-780nm）內，ITO 薄膜的透光率通常能夠達到 80% 以上，高透光率確保了其在顯示器、太陽能電池等應用中的良好表現。

粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進行預燒結，以獲得初步的靶材結構。預燒結步驟通常在相對低溫下進行，目的是通過部分熔融促進粉末顆粒的結合，同時防止過早的晶粒長大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關鍵一環。

熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環境下進行燒結，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結構，使得 ITO 靶材具有更高的電導率和機械強度，但該工藝成本較為昂貴。