微觀結構：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區間，密度高于 7.31g/cm3，熱導率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術參數直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質量。

超高密度成型：超高密度成型工藝（≥99.5%）可使靶材具有更好的性能，提高在真空濺射過程中的穩定性和使用壽命。

晶粒定向控制：晶粒定向控制技術能夠控制銦靶的晶粒尺寸和方向，提升濺射薄膜的質量和性能，滿足高端應用領域的需求。

良好的導電性：ITO 薄膜的電阻率可達 10??Ω?cm，具有較低的電阻和較高的載流子濃度，能夠有效地傳輸電流，滿足各種電子設備的導電需求。

光伏技術領域：在太陽能電池中，ITO 薄膜作為前電極材料，具有高透明性，能夠保證光線有效進入吸收層，從而提升光電轉換效率，適用于 CIGS、CdTe 等薄膜太陽能電池技術。

其他領域：在智能窗、透明發熱膜、紅外反射膜等領域也有應用，滿足智能建筑和汽車工業中的透明導電需求。