半導體領域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯層與鈍化層沉積，在第三代半導體器件制造中的滲透率持續攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。

主要成分：通常由 90% 的氧化銦（In?O?）和 10% 的氧化錫（SnO?）組成，這一比例在實際應用中能實現透明性和導電性的理想平衡。

外觀特性：在靶材形態下，顏色通常為淺黃色至淺綠色，而制成薄膜后則具有透明性。

良好的機械和熱學特性：硬度較高，在研磨、拋光過程中不易被劃傷，保證了薄膜表面的平整性；同時能夠承受較高的溫度而不發生分解或結構破壞，在高溫環境中的抗裂性和耐用性良好，確保了薄膜在濺射和高溫條件下的穩定性。

粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進行預燒結，以獲得初步的靶材結構。預燒結步驟通常在相對低溫下進行，目的是通過部分熔融促進粉末顆粒的結合，同時防止過早的晶粒長大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關鍵一環。