銦靶是指以銦為主要成分的濺射靶材，是一種在材料表面鍍膜過程中用于提供銦源的材料。在真空濺射鍍膜工藝中，銦靶材在高能粒子的轟擊下，銦原子被濺射出來并沉積在基底材料表面，形成所需的銦薄膜。

良好的導電性：ITO 薄膜的電阻率可達 10??Ω?cm，具有較低的電阻和較高的載流子濃度，能夠有效地傳輸電流，滿足各種電子設備的導電需求。

良好的機械和熱學特性：硬度較高，在研磨、拋光過程中不易被劃傷，保證了薄膜表面的平整性；同時能夠承受較高的溫度而不發生分解或結構破壞，在高溫環境中的抗裂性和耐用性良好，確保了薄膜在濺射和高溫條件下的穩定性。

粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進行預燒結，以獲得初步的靶材結構。預燒結步驟通常在相對低溫下進行，目的是通過部分熔融促進粉末顆粒的結合，同時防止過早的晶粒長大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關鍵一環。