半導體領域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯層與鈍化層沉積，在第三代半導體器件制造中的滲透率持續攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。

良好的導電性：ITO 薄膜的電阻率可達 10??Ω?cm，具有較低的電阻和較高的載流子濃度，能夠有效地傳輸電流，滿足各種電子設備的導電需求。

粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進行預燒結，以獲得初步的靶材結構。預燒結步驟通常在相對低溫下進行，目的是通過部分熔融促進粉末顆粒的結合，同時防止過早的晶粒長大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關鍵一環。

半導體與電子工業（占比約 25%）：

焊料與封裝：利用銦的低熔點和延展性，作為半導體芯片的焊接材料（如倒裝焊、熱沉連接），可適應精密器件的高溫穩定性需求。

化合物半導體：與鎵、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物，用于 5G 芯片、激光器、探測器（如紅外成像器件）。