半導體領域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯層與鈍化層沉積，在第三代半導體器件制造中的滲透率持續攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。

光伏產業：占比 15%，應用于薄膜太陽能電池的透明電極，如銅銦鎵硒（CIGS）薄膜電池、光伏異質結電池（HJT）等，隨著這些電池技術的產業化進程加速，對銦靶的需求也在不斷增加。

純度分級：

4N 精銦：純度≥99.99%，主要用于普通電子元器件及靶材原料。

5N-6N 精銦：純度≥99.999%-99.9999%，用于高端半導體、光電材料等領域。

物理化學性能

物理性質：

密度：7.31 g/cm3，熔點 156.6℃，沸點 2080℃，常溫下可彎曲而不碎裂。

導電性：電導率約 1.1×10? S/m，僅次于銀、銅，適用于高頻電子元件。

化學性質：

常溫下在空氣中穩定，加熱至 100℃以上會氧化生成 In?O?；可溶于強酸（如鹽酸、硫酸），但在堿中穩定性較高。