微觀結構：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區間，密度高于 7.31g/cm3，熱導率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術參數直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質量。

純度分級：

4N 精銦：純度≥99.99%，主要用于普通電子元器件及靶材原料。

5N-6N 精銦：純度≥99.999%-99.9999%，用于高端半導體、光電材料等領域。

精銦的制備需經過多步精煉，核心工藝包括：

原料預處理：以鋅冶煉副產物（如浸出渣、煙灰）或含銦廢料為原料，通過酸浸、萃取等方式初步分離銦。

電解精煉：將粗銦溶解為銦鹽溶液（如硫酸銦），通過電解沉積得到純度約 99.95% 的粗精銦。

深度提純：

真空蒸餾：在高真空條件下利用銦與雜質的沸點差異（銦沸點 2080℃，雜質如鋅沸點 907℃）去除低沸點雜質。

區域熔煉：通過移動加熱區使雜質在固液界面重新分布，多次操作后可將純度提升至 6N 以上。

化學提純：利用萃取劑（如三丁基氧化膦）或離子交換樹脂進一步去除微量金屬離子。

半導體與電子工業（占比約 25%）：

焊料與封裝：利用銦的低熔點和延展性，作為半導體芯片的焊接材料（如倒裝焊、熱沉連接），可適應精密器件的高溫穩定性需求。

化合物半導體：與鎵、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物，用于 5G 芯片、激光器、探測器（如紅外成像器件）。