良好的導電性：ITO 薄膜的電阻率可達 10??Ω?cm，具有較低的電阻和較高的載流子濃度，能夠有效地傳輸電流，滿足各種電子設備的導電需求。

熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環境下進行燒結，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結構，使得 ITO 靶材具有更高的電導率和機械強度，但該工藝成本較為昂貴。

光伏技術領域：在太陽能電池中，ITO 薄膜作為前電極材料，具有高透明性，能夠保證光線有效進入吸收層，從而提升光電轉換效率，適用于 CIGS、CdTe 等薄膜太陽能電池技術。

其他領域：在智能窗、透明發熱膜、紅外反射膜等領域也有應用，滿足智能建筑和汽車工業中的透明導電需求。

靶材原料（占比約 60%）：

用于制備 ITO（氧化銦錫）靶材，生產 LCD、OLED 顯示面板的透明導電膜（如手機屏幕、電視面板）。

光伏領域：作為 CIGS（銅銦鎵硒）薄膜太陽能電池的關鍵原料，提升光電轉換效率。