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砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點。此外，還可以用于制作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生產理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。

美國針對含(g/t) ：Pt 1220，Pd 170，Rh140 的廢催化劑，以金屬鐵粉為捕集劑,少量碳作還原劑，加石灰熔劑進行等離子熔煉(破碎后的粉狀廢催化劑:石灰:鐵:碳~100:10:1~3:1)。熔煉溫度約 1500℃，所有粉狀物料混合后噴射入爐，傳熱、傳質快。載體與熔劑化合轉變為爐渣，獲得帶磁性的含鉑族金屬約 7%的鐵合金，可以磁選回收。鐵合金相的產率，即鉑族金屬在鐵合金中的富集倍數，取決于鐵粉加入量，報道的熔煉回收率(%) ：Pt>99，Pd >98，Rh約 87。

對于 Pt、Pd、Rh 含量 1000～2000g/ t 的汽車廢催化劑，我國采用加壓氰化法提取其中的 Pt、Pd、Rh，廢催化劑預處理脫除載體中的油污、積碳，通過 2 次加壓氰化浸出，Pt、Pd、Rh 的回收率分別達到 95%～96%、97%～98%、90%～92%。雖然，工藝中使用的氰化物有毒，但在高溫高壓下溶液中的氰化物被轉化為的碳酸鹽，殘余氰化物濃度很底，排放無害。